PSMN018-100ESFQ
Výrobca Číslo produktu:

PSMN018-100ESFQ

Product Overview

Výrobca:

Nexperia USA Inc.

Číslo dielu:

PSMN018-100ESFQ-DG

Popis:

MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK

Inventár:

12830549
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PSMN018-100ESFQ Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
53A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1482 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
111W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
934068749127

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nexperia

PSMN8R5-100PSQ

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

nexperia

BUK7Y29-40EX

MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56

nexperia

BUK9907-40ATC,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5

nexperia

PSMN3R0-60BS,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK