Výrobca Číslo produktu:
PSMN027-100XS,127
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PSMN027-100XS,127-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 23.4A (Tc) 41.1W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventár:
12893921
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PSMN027-100XS,127 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
23.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26.8mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1624 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
41.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
934066046127
PSMN027-100XS,127-DG
PSMN027100XS127
568-9501-5
PSMN027-100XS127
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM60NB190CM2 RNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
TSM60NB099CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
IRF2807ZSTRL
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
