PSMN1R3-30YL,115
Výrobca Číslo produktu:

PSMN1R3-30YL,115

Product Overview

Výrobca:

Nexperia USA Inc.

Číslo dielu:

PSMN1R3-30YL,115-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 121W (Tc) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8

Inventár:

11738 Ks Nové Originálne Na Sklade
12831053
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PSMN1R3-30YL,115 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.15V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6227 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
121W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK56; Power-SO8
Balenie / puzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Základné číslo produktu
PSMN1R3

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,500
Iné mená
1727-4276-6
568-4908-1-DG
934063811115
568-4908-1
568-4908-2-DG
568-4908-6-DG
1727-4276-1
5202-PSMN1R3-30YL,115TR
568-4908-2
1727-4276-2
568-4908-6

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nexperia

PMPB20XNEAX

MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6

nexperia

PSMN4R3-100ES,127

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

nexperia

BUK7Y14-80EX

MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56

nexperia

BUK954R8-60E,127

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB