Výrobca Číslo produktu:
PSMN1R9-40PLQ
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
PSMN1R9-40PLQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
380 Ks Nové Originálne Na Sklade
12827517
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PSMN1R9-40PLQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
13200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
349W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
PSMN1R9
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
568-11542
934067498127
934067606127
1727-1851
568-11542-DG
5202-PSMN1R9-40PLQTR
PSMN1R9-40PLQ-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB7430PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
250
ČÍSLO DIELU
IRFB7430PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.34
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK7626-100B,118
MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
BUK7620-100A,118
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
PSMN039-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
