PSMN2R0-25YLDX
Výrobca Číslo produktu:

PSMN2R0-25YLDX

Product Overview

Výrobca:

Nexperia USA Inc.

Číslo dielu:

PSMN2R0-25YLDX-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventár:

2846 Ks Nové Originálne Na Sklade
12829942
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PSMN2R0-25YLDX Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.09mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2485 pF @ 12 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
115W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK56, Power-SO8
Balenie / puzdro
SC-100, SOT-669
Základné číslo produktu
PSMN2R0

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,500
Iné mená
568-12930-1
1727-2498-6
568-12930-1-DG
1727-2498-2
568-12930-2
5202-PSMN2R0-25YLDXTR
1727-2498-1
568-12930-2-DG
934069912115
568-12930-6
568-12930-6-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nexperia

BUK9Y7R6-40E,115

MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56

nexperia

PMPB25ENEAX

MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6

nexperia

BUK755R2-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

nexperia

BUK7604-40A,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK