PSMN8R7-80BS,118
Výrobca Číslo produktu:

PSMN8R7-80BS,118

Product Overview

Výrobca:

Nexperia USA Inc.

Číslo dielu:

PSMN8R7-80BS,118-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventár:

5398 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920561
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PSMN8R7-80BS,118 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3346 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
PSMN8R7

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
568-9708-1
5202-PSMN8R7-80BS,118TR
568-9708-2
934066203118
PSMN8R780BS118
568-9708-6
568-9708-6-DG
568-9708-2-DG
1727-7217-1
568-9708-1-DG
PSMN8R7-80BS,118-DG
1727-7217-6
1727-7217-2

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHG100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC

vishay-siliconix

SIHH186N60EF-T1GE3

MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SUP45N03-13L-E3

MOSFET N-CH 30V 45A TO220AB

vishay-siliconix

SUM50020E-GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO263