Výrobca Číslo produktu:
2N3019
Product Overview
Výrobca:
NTE Electronics, Inc
Číslo dielu:
2N3019-DG
Popis:
TRANS NPN 80V 1A TO39
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Inventár:
4 Ks Nové Originálne Na Sklade
12922281
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N3019 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Balenie
Bag
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
1 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
80 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
10nA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Výkon - Max
800 mW
Frekvencia - Prechod
100MHz
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Balík zariadení dodávateľa
TO-39
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
2368-2N3019
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
