Výrobca Číslo produktu:
NTE2018
Product Overview
Výrobca:
NTE Electronics, Inc
Číslo dielu:
NTE2018-DG
Popis:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Inventár:
22 Ks Nové Originálne Na Sklade
12950372
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTE2018 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové dosky
Výrobca
Balenie
Bag
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
8 NPN Darlington
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
600mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Výkon - Max
1W
Frekvencia - Prechod
-
Prevádzková teplota
-20°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Balík zariadení dodávateľa
18-PDIP
Základné číslo produktu
NTE20
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
2368-NTE2018
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
JANTXV2N3810U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
ZXTDA1M832TA
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
JANTX2N5796U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
