Výrobca Číslo produktu:
BUK7E2R7-30B,127
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
BUK7E2R7-30B,127-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
13066308
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BUK7E2R7-30B,127 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
TrenchMOS™
Balenie
Tube
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6212 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
BUK7
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
BUK7E2R7-30B,127-ND
568-6629-5
2156-BUK7E2R7-30B127
568-6629-ND
BUK7E2R730B127
NEXNXPBUK7E2R7-30B,127
934058024127
BUK7E2R7-30B-ND
568-6629
BUK7E2R7-30B
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPI80N04S403AKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
498
ČÍSLO DIELU
IPI80N04S403AKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.99
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK9E04-30B,127
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
BUK9506-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
BUK753R1-40B,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
