Výrobca Číslo produktu:
BUT12AI,127
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
BUT12AI,127-DG
Popis:
TRANS NPN 450V 8A TO220AB
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 8 A 110 W Through Hole TO-220AB
Inventár:
13066288
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BUT12AI,127 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Obsolete
Typ tranzistora
NPN
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
8 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
450 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 860mA, 5A
Prúd - hranie kolektora (max.)
1mA
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
14 @ 1A, 5V
Výkon - Max
110 W
Frekvencia - Prechod
-
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-220-3
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Základné číslo produktu
BUT12
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
934050220127
BUT12AI
BUT12AI-ND
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BC556A,112
BJT TO92 65V 100MA PNP 0.5W 150C
BUK9Y29-40E/CX
TRANS N-CH LFPAK
BUK9Y41-80E/GFX
TRANS N-CH LFPAK
