Výrobca Číslo produktu:
PBSS5230QAZ
Product Overview
Výrobca:
NXP Semiconductors
Číslo dielu:
PBSS5230QAZ-DG
Popis:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventár:
554308 Ks Nové Originálne Na Sklade
12996639
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PBSS5230QAZ Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
2 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
30 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Výkon - Max
325 mW
Frekvencia - Prechod
170MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
3-XDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
DFN1010D-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,691
Iné mená
2156-PBSS5230QAZ-954
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
