Výrobca Číslo produktu:
PHB110NQ08T,118
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PHB110NQ08T,118-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
750 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947364
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PHB110NQ08T,118 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
Bulk
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
113.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4860 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
230W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
260
Iné mená
2156-PHB110NQ08T,118
NEXNXPPHB110NQ08T,118
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
PMPB85ENEA/F,115
PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
FQI4N90TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
