Výrobca Číslo produktu:
PHB29N08T,118
Product Overview
Výrobca:
NXP Semiconductors
Číslo dielu:
PHB29N08T,118-DG
Popis:
NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
2600 Ks Nové Originálne Na Sklade
12996520
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PHB29N08T,118 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
Bulk
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
11V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 14A, 11V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
88W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
638
Iné mená
2156-PHB29N08T,118-954
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK7575-55A,127
NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO
IXFP50N20X3
DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS TO-2
MCG20P03-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
