Výrobca Číslo produktu:
PHD21N06LT,118
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PHD21N06LT,118-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12812520
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PHD21N06LT,118 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
650 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
56W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
PHD21
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
934055349118
PHD21N06LT /T3
PHD21N06LT /T3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFR024NTRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4496
ČÍSLO DIELU
IRFR024NTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.30
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFR024NTRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
180186
ČÍSLO DIELU
IRFR024NTRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PHU66NQ03LT,127
MOSFET N-CH 25V 66A IPAK
PHD66NQ03LT,118
MOSFET N-CH 25V 66A DPAK
PMV45EN,215
MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
