Výrobca Číslo produktu:
PHK4NQ10T,518
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PHK4NQ10T,518-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
12879311
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PHK4NQ10T,518 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
-
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
880 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
PHK4N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
934055907518
PHK4NQ10T /T3
PHK4NQ10T /T3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
2 (1 Year)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STF7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
STP16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
STW9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3