Výrobca Číslo produktu:
PMDPB56XN,115
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PMDPB56XN,115-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 3.1A 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Inventár:
12811653
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMDPB56XN,115 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
73mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170pF @ 15V
Výkon - Max
510mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-UDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
6-HUSON (2x2)
Základné číslo produktu
PMDPB56
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
2156-PMDPB56XN115
934066487115
NEXNXPPMDPB56XN,115
PMDPB56XN,115-DG
568-10760-6
568-10760-1
568-10760-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI6954ADQ-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8043
ČÍSLO DIELU
SI6954ADQ-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.30
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PMWD30UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
VQ1006P-2
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP