PMN16XNE115

Výrobca Číslo produktu:

PMN16XNE115

Product Overview

Výrobca:

NXP USA Inc.

Číslo dielu:

PMN16XNE115-DG

Popis:

NOW NEXPERIA PMN16XNE SMALL SIGN

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventár:

Online RFQ

12948026

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

PMN16XNE115 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

NXP Semiconductors

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

6.9A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

1.5V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

19mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

0.9V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

17 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1136 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

550mW (Ta), 6.25W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

6-TSOP

Balenie / puzdro

SC-74, SOT-457

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,699

Iné mená

2156-PMN16XNE115

NEXNXPPMN16XNE115

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

NTMFS034N15MC

MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN

stmicroelectronics

STN4NF06L

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223

onsemi

FDBL9401-F085T6

MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF

stmicroelectronics

STS1HNK60

MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO