Výrobca Číslo produktu:
PMN20EN,115
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PMN20EN,115-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 6.7A (Tj) 545mW (Ta) Surface Mount SC-74
Inventár:
12877903
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMN20EN,115 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.7A (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
630 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
545mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-74
Balenie / puzdro
SC-74, SOT-457
Základné číslo produktu
PMN2
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NEXNXPPMN20EN,115
568-8416-6
934065662115
PMN20EN115
2156-PMN20EN115
568-8416-1
568-8416-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQ3456BEV-T1_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7
ČÍSLO DIELU
SQ3456BEV-T1_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN3026LVT-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8316
ČÍSLO DIELU
DMN3026LVT-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW48N60M6-4
MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4
STS7PF30L
MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
STP60NF06
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
