Výrobca Číslo produktu:
PMV185XN,215
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PMV185XN,215-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Inventár:
12822695
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMV185XN,215 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
76 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23 (TO-236AB)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
PMV1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
568-10831-6
2156-PMV185XN215-NXTR
PMV185XN,215-DG
NEXNXPPMV185XN,215
568-10831-2
934066753215
568-10831-1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRLML2803TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
57343
ČÍSLO DIELU
IRLML2803TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTT82N25P
MOSFET N-CH 250V 82A TO268
IRL40B215
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
IXTA340N04T4-7
MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
