Výrobca Číslo produktu:
2N7000TA
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
2N7000TA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventár:
12835714
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N7000TA Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Box (TB)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92-3
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Základné číslo produktu
2N7000
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-DG
2N7000TATR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
VN10LP
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5433
ČÍSLO DIELU
VN10LP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
VN10LPSTZ
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
VN10LPSTZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
2N7000
VÝROBCA
Diotec Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
146004
ČÍSLO DIELU
2N7000-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7002T
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
2N7000RLRA
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
BFL4037-1E
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
