Výrobca Číslo produktu:
2N7002ET1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
2N7002ET1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
528264 Ks Nové Originálne Na Sklade
12834485
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N7002ET1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
260mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
26.7 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300mW (Tj)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
2N7002
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
2N7002ET1G-DG
2N7002ET1GOSDKR
2N7002ET1GOSCT
2832-2N7002ET1G
2156-2N7002ET1G
2N7002ET1GOSTR
ONSONS2N7002ET1G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ATP202-TL-H
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
BFL4007-1E
MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220F-3FS
5HP01M-TL-E
MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP
