2N7002ET7G
Výrobca Číslo produktu:

2N7002ET7G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

2N7002ET7G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventár:

27330 Ks Nové Originálne Na Sklade
12921679
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

2N7002ET7G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
260mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
40 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300mW (Tj)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
2N7002

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,500
Iné mená
488-2N7002ET7GCT
2N7002ET7G-DG
488-2N7002ET7GTR
488-2N7002ET7GDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

2SK4087LS

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220FI

diodes

ZXMN2AM832TA

MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

vishay-siliconix

SIHH125N60EF-T1GE3

MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8

micro-commercial-components

MSJP11N65-BP

MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB