Výrobca Číslo produktu:
2SB1216T-E
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
2SB1216T-E-DG
Popis:
TRANS PNP 100V 4A TP
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventár:
12837039
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SB1216T-E Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
4 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
100 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Prúd - hranie kolektora (max.)
1µA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Výkon - Max
1 W
Frekvencia - Prechod
130MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Balík zariadení dodávateľa
TP
Základné číslo produktu
2SB1216
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
2SB1216S-TL-E
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1071
ČÍSLO DIELU
2SB1216S-TL-E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
