Výrobca Číslo produktu:
2SB817D
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
2SB817D-DG
Popis:
P-CHANNEL SILICON TRANSISTOR
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 15MHz 100 W Through Hole TO-3PB
Inventár:
1357 Ks Nové Originálne Na Sklade
12967824
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SB817D Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
onsemi
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
12 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
140 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 500mA, 5A
Prúd - hranie kolektora (max.)
100µA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 1A, 5V
Výkon - Max
100 W
Frekvencia - Prechod
15MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
-
Kvalifikácia
-
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
180
Iné mená
2156-2SB817D-488
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Vendor Undefined
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PBSS4612PA,115
NEXPERIA PBSS4612PA - SMALL SIGN
BC857BQAZ
NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN
NJVMJB41CT4G
TRANS NPN D2PAK
