Výrobca Číslo produktu:
2SD863E-AE
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
2SD863E-AE-DG
Popis:
BIP NPN 1A 50V
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventár:
9000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12936535
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SD863E-AE Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
onsemi
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
1 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
1µA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 2V
Výkon - Max
900 mW
Frekvencia - Prechod
150MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
-
Kvalifikácia
-
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Balík zariadení dodávateľa
3-MP
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,219
Iné mená
ONSONS2SD863E-AE
2156-2SD863E-AE
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
Not applicable
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TH00483
SS TO39 GP PNP XSTR
2SD2176-TD-E
NPN 1.2A 50V DARLINGTON
2SD2198S-DL-E
BIP NPN 5A 50V
