BS107G

Výrobca Číslo produktu:

BS107G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

BS107G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Podrobný popis:

N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventár:

Online RFQ

12848208

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

BS107G Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

200 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

250mA (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.6V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 1mA

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

60 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

350mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-92 (TO-226)

Balenie / puzdro

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Základné číslo produktu

BS107

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Iné mená

BS107GOS

BS107G-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

alpha-and-omega-semiconductor

AOUS66616

MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8

FDC604P

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

alpha-and-omega-semiconductor

AOW11N60

MOSFET N-CH 600V 11A TO262

onsemi

HUF75343S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK