Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
BS170G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
BS170G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventár:
Online RFQ
12835419
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BS170G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
500mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
60 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
350mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92 (TO-226)
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Základné číslo produktu
BS170
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
BS170G-DG
BS170GOS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BS170-D27Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2869
ČÍSLO DIELU
BS170-D27Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
BS170-D74Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21313
ČÍSLO DIELU
BS170-D74Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
BS170-D26Z
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
146646
ČÍSLO DIELU
BS170-D26Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSO203SPHXUMA1
MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
3LN01S-K-TL-E
MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP
BSS169 E6906
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
5LP01M-TL-H
MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP