Výrobca Číslo produktu:
DTD113E
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
DTD113E-DG
Popis:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventár:
25000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12934311
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DTD113E Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
onsemi
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
1 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
1 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Výkon - Max
350 mW
Trieda
-
Kvalifikácia
-
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Balík zariadení dodávateľa
TO-92 (TO-226)
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
11,539
Iné mená
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
