Výrobca Číslo produktu:
ECH8601M-TL-H-P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
ECH8601M-TL-H-P-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
Podrobný popis:
Mosfet Array 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
Inventár:
12850614
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ECH8601M-TL-H-P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcia FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
24V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
8-ECH
Základné číslo produktu
ECH8601
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ECH8697R-TL-W
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7946
ČÍSLO DIELU
ECH8697R-TL-W-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO9926C
MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
FDMS3660S-F121
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
BSD235N L6327
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
