Výrobca Číslo produktu:
FCA20N60FS
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FCA20N60FS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventár:
12846835
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FCA20N60FS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
SuperFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3080 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PN
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FCA20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCA20N60-F109
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FCA20N60-F109-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.52
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FCA20N60
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FCA20N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.56
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FCA20N60F
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
442
ČÍSLO DIELU
FCA20N60F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.01
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP4N20L
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
NTGS3441T1G
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
