Výrobca Číslo produktu:
FCB11N60TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FCB11N60TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
135 Ks Nové Originálne Na Sklade
12835961
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FCB11N60TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SuperFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1490 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FCB11N60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
2156-FCB11N60TM
FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLTR-DG
FCB11N60TMDKR
FCB11N60TM_NLCT-DG
FCB11N60TM_NL
FCB11N60TMCT
FCB11N60TMCT-NDR
FCB11N60TMTR
FCB11N60TM_NLTR
FCB11N60TMTR-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTA12N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTA12N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.28
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFA12N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
288
ČÍSLO DIELU
IXFA12N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.82
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6011ENJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6011ENJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.56
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB11NM80T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB11NM80T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.81
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB13NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
STB13NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.21
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
6HP04CH-TL-W
MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
