Výrobca Číslo produktu:
FCHD125N65S3R0-F155
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FCHD125N65S3R0-F155-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
12839351
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FCHD125N65S3R0-F155 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
SuperFET® III
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 590µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1940 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
181W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
FCHD125
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
FCHD125N65S3R0-F155OS
2156-FCHD125N65S3R0-F155
FCHD125N65S3R0-F155-DG
2832-FCHD125N65S3R0-F155
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW45NM60
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STW45NM60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.85
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW33N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
98
ČÍSLO DIELU
STW33N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.48
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
FCPF380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
FQPF9N50C
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
