Výrobca Číslo produktu:
FDA69N25
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDA69N25-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventár:
800 Ks Nové Originálne Na Sklade
12850654
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDA69N25 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
69A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
41mOhm @ 34.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4640 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
480W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PN
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FDA69
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
2156-FDA69N25-OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQD10N20CTM_F080
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
HUF75623P3
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
IRLR130ATM
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
