FDB060AN08A0
Výrobca Číslo produktu:

FDB060AN08A0

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDB060AN08A0-DG

Popis:

MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 16A (Ta), 80A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

1060 Ks Nové Originálne Na Sklade
12837704
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDB060AN08A0 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
255W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FDB060

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
FDB060AN08A0DKR
2156-FDB060AN08A0-OS
FDB060AN08A0CT
FDB060AN08A0-DG
FDB060AN08A0TR
ONSFDB060AN08A0

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

AUIRL1404ZL

MOSFET N-CH 40V 160A TO262

onsemi

FDD6688S

MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK

infineon-technologies

BSO4822

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

onsemi

FQD6N40TM

MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK