Výrobca Číslo produktu:
FDB12N50FTM-WS
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDB12N50FTM-WS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
39 Ks Nové Originálne Na Sklade
12839082
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDB12N50FTM-WS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1395 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
165W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FDB12N50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FDB12N50FTM-WSTR
FDB12N50FTM_WS-DG
FDB12N50FTM-WSCT
FDB12N50FTM_WSDKR-DG
FDB12N50FTM_WS
FDB12N50FTM_WSDKR
FDB12N50FTM_WSCT-DG
FDB12N50FTM_WSCT
FDB12N50FTM_WSTR-DG
FDB12N50FTM-WSDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDB20N50F
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12950
ČÍSLO DIELU
FDB20N50F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.47
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
