Výrobca Číslo produktu:
FDB12N50UTM_WS
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDB12N50UTM_WS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12836416
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDB12N50UTM_WS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
FRFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
800mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1395 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
165W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FDB12
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FDB12N50UTM_WSTR
FDB12N50UTM_WS-DG
FDB12N50UTM_WSCT
FDB12N50UTM_WSDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
872
ČÍSLO DIELU
STB11NK50ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.34
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7002LT7G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2SJ661-1E
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
FQP5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
