Výrobca Číslo produktu:
FDB8832
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDB8832-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 34A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12846189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDB8832 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
34A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11400 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FDB883
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
2832-FDB8832TR
FDB8832CT
FDB8832DKR
FDB8832TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SUM90N03-2M2P-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1612
ČÍSLO DIELU
SUM90N03-2M2P-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.59
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB80NF03L-04T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
691
ČÍSLO DIELU
STB80NF03L-04T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.90
Typ substitútu
Upgrade
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOTF4126
MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F
AOD474A
MOSFET N-CH 75V 2.5A/10A TO252
AO4425L
MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
