Výrobca Číslo produktu:

FDC5612

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDC5612-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventár:

4007 Ks Nové Originálne Na Sklade

12850493

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDC5612 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4.3A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

6V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

55mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

650 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.6W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

SuperSOT™-6

Balenie / puzdro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Základné číslo produktu

FDC5612

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

FDC5612CT

FDC5612TR

FDC5612DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FQA32N20C

MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN

FDMB506P

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

alpha-and-omega-semiconductor

AOI5N40

MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A

onsemi

FDPF44N25TRDTU

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F