Výrobca Číslo produktu:
FDC6327C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDC6327C-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 2.7A, 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventár:
6259 Ks Nové Originálne Na Sklade
12837858
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDC6327C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.7A, 1.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
325pF @ 10V
Výkon - Max
700mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
SuperSOT™-6
Základné číslo produktu
FDC6327
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDC6327CDKR
FDC6327CTR
FDC6327C-DG
FDC6327CCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
FDS4935
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
FW811-TL-E
MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
