Výrobca Číslo produktu:

FDC638APZ

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDC638APZ-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventár:

64393 Ks Nové Originálne Na Sklade

12835915

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDC638APZ Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4.5A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.5V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

43mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1000 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.6W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

SuperSOT™-6

Balenie / puzdro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Základné číslo produktu

FDC638

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

2156-FDC638APZ-488

FDC638APZTR

FDC638APZDKR

FDC638APZCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

BSC094N03S G

MOSFET N-CH 30V 14.6A/35A TDSON

onsemi

2N7002KW

MOSFET N-CH 60V 310MA SC70

infineon-technologies

BSC018N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON

FDZ4670

MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA