FDC655BN-F40
Výrobca Číslo produktu:

FDC655BN-F40

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDC655BN-F40-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 800mW (Tc) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventár:

12958447
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDC655BN-F40 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
620 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SuperSOT™-6
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
FDC655

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-FDC655BN-F40TR
2832-FDC655BN-F40TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

BSP135IXTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

microchip-technology

MSC017SMA120J

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227

vishay-siliconix

IRFU020PBF

MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA

renesas-electronics-america

NP60N04VLK-E1-AY

P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS