Výrobca Číslo produktu:
FDC8602
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDC8602-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventár:
16909 Ks Nové Originálne Na Sklade
12838654
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDC8602 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.2A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
350mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
70pF @ 50V
Výkon - Max
690mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
SuperSOT™-6
Základné číslo produktu
FDC8602
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDC8602CT
FDC8602TR
2156-FDC8602-488
FDC8602DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
FDC6310P
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
