FDD13AN06A0
Výrobca Číslo produktu:

FDD13AN06A0

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDD13AN06A0-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

11834 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846530
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDD13AN06A0 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.9A (Ta), 50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
115W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FDD13AN06

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDD13AN06A0DKR
2832-FDD13AN06A0TR
FDD13AN06A0-DG
FDD13AN06A0CT
FDD13AN06A0TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FDMC8878

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

onsemi

FDS3570

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO4478

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC

onsemi

FDMS86201

MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN