Výrobca Číslo produktu:
FDD8426H
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDD8426H-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A TO252
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
12846240
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDD8426H Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A, 10A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2735pF @ 20V
Výkon - Max
1.3W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Základné číslo produktu
FDD8426
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO6802L_001
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6TSOP
AO4807
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
AO4842L
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
