Výrobca Číslo produktu:
FDD86113LZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDD86113LZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12926583
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDD86113LZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
104mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
285 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FDD86113
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDD86113LZFSDKR
FDD86113LZFSCT
FDD86113LZFSTR
FDD86113LZ-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN10H100SK3-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4328
ČÍSLO DIELU
DMN10H100SK3-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STD15NF10T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2040
ČÍSLO DIELU
STD15NF10T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.48
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
JANTX2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
AOT2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
JAN2N7227
MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA