FDD86326

Výrobca Číslo produktu:

FDD86326

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDD86326-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

Podrobný popis:

N-Channel 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

9960 Ks Nové Originálne Na Sklade

12838548

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDD86326 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

80 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

8A (Ta), 37A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

6V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

23mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

19 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1035 pF @ 50 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.1W (Ta), 62W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-252AA

Balenie / puzdro

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Základné číslo produktu

FDD863

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

FDD86326DKR

FDD86326TR

FDD86326CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FCPF190N65FL1

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F

onsemi

FDMS0308CS

MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN

onsemi

FQP1P50

MOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3

onsemi

FQPF3N50C

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F