Výrobca Číslo produktu:
FDFMA2P853T
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDFMA2P853T-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 7-SOIC
Inventár:
12839193
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDFMA2P853T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
435 pF @ 10 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Isolated)
Stratový výkon (max.)
1.4W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
7-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Základné číslo produktu
FDFMA2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDFMA2P853TTR
FDFMA2P853TDKR
FDFMA2P853TCT
FDFMA2P853T-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUFA75337S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDPF8N50NZT
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
FCH023N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
