Výrobca Číslo produktu:
FDG6322C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDG6322C-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventár:
29094 Ks Nové Originálne Na Sklade
12837128
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDG6322C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
220mA, 410mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9.5pF @ 10V
Výkon - Max
300mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-88 (SC-70-6)
Základné číslo produktu
FDG6322
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDG6322CCT
FDG6322CDKR
FDG6322CTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDC6036P_F077
MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
FDS8934A
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
FW216A-TL-2WX
MOSFET