FDH3632
Výrobca Číslo produktu:

FDH3632

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDH3632-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventár:

869 Ks Nové Originálne Na Sklade
12838590
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDH3632 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
FDH363

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
FDH3632FS
FDH3632-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FDMS8027S

MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN

onsemi

FQPF13N50CF

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

onsemi

FQPF2N50

MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F

onsemi

FDB1D7N10CL7

MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK