Výrobca Číslo produktu:
FDI038AN06A0
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDI038AN06A0-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventár:
12851256
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDI038AN06A0 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
FDI038
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
2832-FDI038AN06A0
2832-FDI038AN06A0-488
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDI030N06
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FDI030N06-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFSL3206PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1600
ČÍSLO DIELU
IRFSL3206PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.22
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6520ENJTL
MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
FDBL9403-F085
MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
R6511KNJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
